新型半导体材料领域取得重要进展

　　本报合肥电  （记者李俊杰）记者从中国科学技术大学获悉：该校张树辰特任教授团队联合中外学者，在新型半导体材料领域取得重要进展。团队首次在二维离子型软晶格材料中，实现了面内可编程、原子级平整的“马赛克”式异质结的可控构筑，为未来高性能发光和集成器件的研发开辟了新路径。相关成果近日在线发表于国际学术期刊《自然》。

　　在半导体领域，能够在材料平面内横向精准构建异质结构，是探索新奇物性、研发新型器件及推动器件微型化的关键。然而，以二维卤化物钙钛矿为代表的离子型软晶格半导体，其晶体结构柔软且不稳定，传统光刻加工等技术往往因反应过于剧烈而破坏材料结构，难以实现高质量的横向异质集成。如何在此类材料中实现高质量、可控外延的横向异质结精密加工，是该领域面临的难题。

　　面对这一挑战，中国科大研究团队创新性地提出并发展了一种引导晶体内应力“自刻蚀”方法，将不同种类的半导体材料精准回填，最终在单一晶片内部构筑出晶格连续、界面原子级平整的高质量“马赛克”异质结。